专家讲座——III-V族半导体氢化物气相外延及其应用
时间:2025-05-14 14:29:25 编辑:汤扬 预审:刘大卫 终审:张鹏 浏览次数:70
讲座题目:III-V族半导体氢化物气相外延及其应用
讲座时间:2025年5月22日15:30
讲座地点:图书馆四楼报告厅
专家介绍:
孙燕亭,瑞典皇家工学院(KTH)应用物理系研究员。2003年获得瑞典皇家工学院半导体材料专业博士学位。2004-2011,在瑞典工业界从事大功率半导体激光器,波长可调半导体激光器,光探测器制备技术的研发工作。2011年加入瑞典皇家工学院,目前其研究方向包括III-V族半导体氢化物气相外延(HVPE)技术及其应用。
讲座简介:
氢化物气相外延(HVPE)是一种适用于III-V族化合物半导体的准均衡态晶体生长技术,其具有高生长速率及高选择性。本报告将介绍三五族半导体氢化物气相外延技术在大功率量子级联激光器,III-V/Si光子集成及可再生能源领域的应用。